O MMBF170 é um Transistor MOSFET de Efeito de Campo de Canal N no formato SMD (SOT-23). Este componente é a versão para montagem em superfície do clássico transistor BS170. Ele é fabricado com tecnologia de alta densidade celular (High Density Cell Design) para minimizar a resistência interna, sendo extremamente eficiente para comutação rápida em circuitos de baixa tensão e baixa corrente.

É ideal para projetos compactos, automação e reparos em placas eletrônicas modernas.

Principais Características:

• Tipo: MOSFET Canal N (Small Signal)

• Encapsulamento: SOT-23 (SMD - Miniatura)

• Compatibilidade: Frequentemente usado em substituição ou atualização de circuitos que utilizam o 2N7002, mas com capacidade de corrente superior.

• Acionamento: Compatível com níveis lógicos (pode ser acionado diretamente por Microcontroladores, Arduino, PIC, etc.).

• Controle: Controlado por tensão, ideal para baixo consumo no gate.

Especificações Técnicas:

• Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 60V

• Corrente de Dreno Contínua (Id): 500mA (0.5A)

• Corrente de Dreno Pulsada (Idm): 1200mA (1.2A)

• Resistência em Condução (Rds-on): < 5 Ohms

• Tensão de Threshold (Vgs-th): Entre 0.8V e 3.0V (Nível Lógico)

• Dissipação de Potência: 300mW

Aplicações Comuns:

• Drivers de Relés e Solenoides de baixa potência

• Controle de Servo Motores pequenos

• Conversores de Nível Lógico

• Projetos com Arduino, ESP32 e Raspberry Pi (devido ao baixo Vgs)

• Manutenção de placas de controle (ECUs, placas mãe, fontes)