O SKM40GD123D é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) fabricado pela Semikron, projetado para aplicações de alta potência, como inversores trifásicos para controle de velocidade de motores AC e fontes de alimentação chaveadas.

Características principais:

• Tensão máxima de coletor-emissor (VCES): 1200 V
• Corrente contínua de coletor (IC): 40 A a 25°C; 25 A a 80°C
• Corrente de pico de coletor (ICM): 70 A a 25°C; 50 A a 80°C (para pulso de 1 ms)
• Potência de dissipação (Ptot): 200 W por IGBT a 25°C
• Temperatura de operação (Tj): -40°C a +150°C
• Isolamento da base: 2500 V AC por 1 minuto

Este módulo apresenta entrada MOS controlada por tensão, canal N de silício homogêneo, encapsulamento de baixa indutância e diodos inversos rápidos e suaves com tecnologia CAL (Controlled Axial Lifetime). Além disso, possui base de cobre isolada utilizando a tecnologia DCB (Direct Copper Bonding), proporcionando alta confiabilidade e eficiência térmica.