O Modulo IGBT BSM150GB100D e a solucao perfeita para quem busca potencia, alta eficiencia e confiabilidade em sistemas de chaveamento de alta frequencia. Projetado pela Siemens Infineon em topologia Half Bridge (Meia Ponte) com diodo de recuperacao rapida embutido, este componente e altamente indicado para manutencao, reposicao e novos projetos em equipamentos industriais de medio e grande porte.

Com capacidade para suportar ate 1000V de tensao e corrente continua de 150A, ele garante excelente dissipacao termica devido a sua base metalica isolada. Seu design robusto proporciona baixas perdas de comutacao e resposta rapida, aumentando a vida util e o rendimento do seu circuito de potencia.

Ideal para aplicacoes como inversores de frequencia para motores eletricos, fontes de solda inversoras, sistemas de nobreak (UPS), nobreaks industriais, acionamento de motores trifasicos, conversores estaticos de potencia, aquecimento por inducao e sistemas de energia solar fotovoltaica.

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ESPECIFICACOES TECNICAS

• Modelo: BSM150GB100D (Tambem compativel com BSM 150 GB 100 D)

• Fabricante: Siemens Infineon

• Tipo de Transistor: IGBT (Transistor Bipolar de Portao Isolado)

• Configuracao: Meia Ponte (Half-Bridge) com 2 elementos

• Diodo Interno: Possui diodo de roda livre ultra-rapido (Free-Wheel Diode) integrado

• Tensao Maxima Coletor-Emissor (Vces): 1000V

• Corrente Maxima de Coletor (Ic): 150A (a 80C)

• Corrente de Pico (Icp): 300A

• Tensão Gate-Emissor (Vges): + / - 20V

• Base Isolada: Sim, placa de base metalica isolada termicamente

• Formato do Invólucro: Modulo de Potencia de Encaixe com Parafusos

• Condição: Produto NOVO e de alta performance