Nome do Produto: Módulo IGBT P080a2204
Modelo: P080a2204
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 2200 V
Corrente de Coletor Contínua (IC): 80 A
Corrente de Coletor de Pico (ICP): 320 A
Tensão de Gate-Emissor (VGE): ±20 V
Potência Dissipada (PD): 800 W
Resistência Térmica Junção-Caso (RthJC): 0,38 °C/W
Temperatura de Operação (TOP): -40 °C a +150 °C

Características:

Baixa perda de comutação
Alta velocidade de comutação
Proteção contra sobrecorrente e sobretensão
Baixa impedância de saturação
Alta confiabilidade

Aplicação: Utilizado em sistemas de controle de potência, como inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação e outros dispositivos de alta potência.