O Módulo IGBT Fuji Electric 2MBI200U4H-120 é um componente semicondutor de alta potência e altíssima eficiência, projetado para aplicações industriais exigentes que demandam alto desempenho, estabilidade térmica e baixas perdas de comutação. Fabricado no Japão pela Fuji Electric, este módulo com configuração Dual (2 em 1 / Meia Ponte) suporta tensões de até 1200V e corrente de 200A.

Ideal para manutenção, reparo e projeto de inversores de frequência, drives de motores, inversores solares, máquinas de solda e sistemas de energia ininterrupta (UPS/Nobreaks). Sua estrutura robusta garante excelente dissipação de calor através da base metálica isolada, garantindo durabilidade máxima aos seus equipamentos de potência.

Especificações Técnicas

• Fabricante: Fuji Electric

• Código do Fabricante: 2MBI200U4H-120

• Tipo de Componente: Módulo IGBT Dual (2 em 1 / Half-Bridge)

• Tensão Máxima Coletor-Emissor (Vces): 1200V

• Corrente Contínua de Coletor (Ic): 200A (a 80C) / 300A (a 25C)

• Tensão Portão-Emissor (Vges): +-20V

• Configuração Interna: Meia Ponte com diodo de comutação rápida integrado

• Tipo de Montagem: Parafusado em dissipador de calor (Chassis / Heatsink)

• Terminais de Potência: Terminais de parafuso superiores

• Origem: Japão

Aplicações Principais

• Inversores de frequência e acionadores de motores trifásicos industriais

• Sistemas de energia ininterrupta (UPS / Nobreaks de grande porte)

• Fontes chaveadas de alta potência e fontes de alimentação industriais

• Equipamentos e máquinas de solda inversora

• Servodrives e sistemas de controle de movimento

• Inversores de energia solar fotovoltaica e energia eólica

• Sistemas de aquecimento por indução e conversores DC/AC - DC/DC