Módulo IGBT BSM50GX120DN2 - 50A 1200V
O Módulo IGBT BSM50GX120DN2 da Infineon Technologies é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez.
Especificações Técnicas:
- Configuração: Full Bridge
- Coletor - VCEO: 1.2 kV
- Tensão de saturação do coletor-emissor: 2.2 V
- Corrente contínua do coletor: 50 A a 25ºC
- Dissipação de potência: 360 W
- Temperatura operacional: -40°C a +125°C
- Corrente de dispersão do gate-emissor: 300 nA
- Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Peso unitário de 197.622 g.
Aplicações:
Ideal para conversores de energia, inversores e sistemas de controle de motores.
FABRICANTE: INFINEON
