Tipo: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Função: Conversão de energia, amplificação de sinais de potência, controle de motores
Composição: Semicondutores de potência (IGBTs e diodos)
Tensão de Coletor-Emissor (V<sub>CES</sub>): 1200V
Corrente de Coletor (I<sub>C</sub>): 900A
Corrente de Pico do Coletor (I<sub>CM</sub>): 1800A
Tensão de Saturação de Coletor-Emissor (V<sub>CE(on)</sub>): 2.0V (máximo)
Corrente de Entrada (I<sub>G</sub>): 150mA (máximo)
Temperatura de Operação (T<sub>j</sub>): -40°C a +150°C
Resistência Térmica (R<sub>th(j-c)</sub>): 0.017°C/W
Dissipação de Potência (P<sub>D</sub>): 4000W
Dimensões: 172mm x 89mm x 38mm (Largura x Altura x Profundidade)
Peso: 800g
Aplicações Típicas:
Inversores industriais
Conversores de frequência
Controle de motores de alta potência
Fontes de alimentação de alta tensão
