O IKW25N120H3 é um transistor IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta velocidade fabricado pela Infineon Technologies, projetado para aplicações que requerem comutação rápida e alta eficiência energética.
Características principais:
- Tensão máxima coletor-emissor (V<sub>CE</sub>): 1200 V
- Corrente contínua do coletor (I<sub>C</sub>): 25 A a 100°C
- Tensão de saturação coletor-emissor (V<sub>CE(sat)</sub>): 2,05 V típica a 25°C
- Temperatura máxima de junção (T<sub>vj</sub>): 175°C
- Tempo de curto-circuito suportado: 10 µs
- Tecnologia: TRENCHSTOP™ com diodo antiparalelo de recuperação rápida e suave
Benefícios:
- Baixas perdas de comutação e condução: Contribuem para maior eficiência energética.
- Excelente comportamento EMI: Reduz interferências eletromagnéticas.
- Capacidade de operar com resistores de gate de baixo valor: Possibilita tempos de atraso reduzidos e menor sobretensão.
- Alta densidade de corrente: Adequado para aplicações de alta potência.
Aplicações típicas:
- Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
- Conversores de soldagem
- Aquecimento industrial
- Sistemas de energia solar
Para obter mais detalhes técnicos, como diagramas e especificações completas, é recomendável consultar a ficha técnica oficial do produto.
