Fabricante: Infineon

Categoria de produto: MOSFETs

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: DPAK-3 (TO-252-3)

Polaridade do transistor: P-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 74 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 20 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Qg - Carga na porta: 120 nC

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 175 C

Pd - Dissipação de potência: 200 W

Modo de canal: Enhancement

Embalagem: Tube

Marca: Infineon Technologies

Configuração: Single

Tempo de queda: 96 ns

Altura: 2.3 mm

Comprimento: 6.5 mm

Tipo de Produto: MOSFETs

Tempo de ascensão: 99 ns

Subcategoria: Transistors

Tipo de transistor: 1 P-Channel

Tipo: HEXFET Power MOSFET

Tempo de retardo de desligamento típico: 61 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 18 ns

Largura: 6.22 mm

Aliases de núm de peça: SP001563360

Peso unitário: 330 mg

Aplicações Típicas: Ideal para gerenciamento de potência em circuitos automotivos, fontes de alimentação e aplicações industriais. O Mosfet IRF4905SPBF é perfeito para quem busca alta eficiência e desempenho em projetos eletrônicos.