Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SC-59-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 100 mV
Corrente do coletor DC máxima: 150 mA
Pd - Dissipação de potência: 150 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 80 MHz
Temperatura operacional mínima: -
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Qualificação: AEC-Q101
Série: 2SA1162
Embalagem: Reel
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Marca:Toshiba
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 70
hFE máx. de ganho de corrente DC: 400
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Peso unitário: 8 mg