Designador de tipo: OSG65R038HZF
Código de marcação: OSG65R038HZ
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de controle Canal: N - Canal
Pd ⓘ - Dissipação de potência máxima: 500 W
|Vds|ⓘ - Tensão dreno-fonte máxima: 650 V
|Vgs|ⓘ - Tensão gate-source máxima: 30 V
|Vgs(th)| ⓘ - Tensão gate-threshold máxima: 4,5 V
|Id| ⓘ - Corrente de dreno máxima: 80 A
Tj ⓘ - Temperatura máxima da junção: 150 °C
Qg ⓘ - Carga total da porta: 175 nC
tr ⓘ - Tempo de subida: 121,2 nS
Cossⓘ - Capacitância de saída: 486 pF
Rds ⓘ - Resistência máxima do estado ligado da fonte de dreno: 0,038 Ohm
Pacote: TO247
