O STP5NK50Z (marcado no corpo como P5NK50Z) é um Transistor MOSFET de Potência de Canal N, desenvolvido pela STMicroelectronics com a tecnologia SuperMESH™.

O grande diferencial deste componente, indicado pelo sufixo "Z", é a presença de uma rede de Diodos Zener integrados entre o Gate e a Fonte (Gate-Source). Essa proteção interna blinda o transistor contra Descargas Eletrostáticas (ESD) e picos de tensão indesejados no circuito de comando, aumentando drasticamente a robustez e a confiabilidade do sistema, especialmente em ambientes industriais ruidosos.

Projetado para substituir transistores de alta tensão convencionais com melhor performance, ele oferece baixa resistência em condução (Rds-on) e excelente capacidade de comutação (dv/dt), sendo ideal para topologias flyback em fontes de alimentação e reatores de iluminação.

Principais Características:

• Proteção Zener Integrada: Maior imunidade a ESD (Descarga Eletrostática).

• Tecnologia SuperMESH: Minimiza a resistência Rds(on) e melhora a eficiência.

• Tensão (VDS): 500V (Suporta picos de rede).

• Corrente (ID): 4.4A (A 25°C).

• Avalanche Tested: 100% testado contra energia de avalanche.

• Encapsulamento: TO-220 (Padrão 3 pinos).

Especificações Técnicas:

• Fabricante: STMicroelectronics

• Código na Peça: P5NK50Z (Equivalente ao STP5NK50Z)

• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 500 V

• Corrente de Dreno Contínua (Id): 4.4 A

• Resistência Rds(on): < 1.5 Ohms (Típico 1.22 Ohms)

• Dissipação de Potência (Ptot): 90 W

• Proteção de Gate: Sim (Zener Clamping)

Aplicações Recomendadas:

• Fontes Chaveadas (SMPS) de baixa potência (Carregadores, Adaptadores).

• Reatores Eletrônicos para lâmpadas fluorescentes ou LEDs.

• Fontes Auxiliares em equipamentos industriais.

• Drivers de Solenoides.