Mosfet SiHG20N50C
Descrição do Produto:
O Mosfet SiHG20N50C é um transistor de efeito de campo de potência projetado para aplicações de alta eficiência em circuitos elétricos. Ideal para comutação e amplificação, este componente se destaca pela sua confiabilidade e desempenho.
Especificações Técnicas:
- Tensão Máxima (VDS): 500V
- Corrente Máxima (ID): 20A
- RDS(on): 0.5 ohms
- Temperatura de Operação: até 150 graus Celsius (150°C)
Características:
- Baixa perda de energia: Otimiza o rendimento em aplicações de alta tensão.
- Montagem fácil: Disponível em encapsulamento TO-220, facilitando a instalação em placas de circuito.
Aplicações:
- Fontes de alimentação
- Conversores DC-DC
- Equipamentos de automação
Com o Mosfet SiHG20N50C, você garante qualidade e eficiência para seus projetos eletrônicos.
