O Transistor MOSFET IRFBE30 de Canal N é um componente robusto projetado para aplicações que exigem alta suportabilidade de tensão e excelente eficiência em comutação rápida. Com suporte a tensões de até 800V e capacidade de corrente contínua de 4.1A, ele entrega excelente estabilidade e baixa resistência em condução (RDSon de 3.0 Ohms), sendo ideal para projetos industriais e comerciais exigentes que buscam alto rendimento térmico e elétrico.Graças ao seu encapsulamento padrão TO-220, o IRFBE30 garante facilidade na montagem mecânica e excelente acoplamento a dissipadores de calor, permitindo operar com segurança mesmo sob cargas de trabalho elevadas em regime contínuo.

Principais Aplicações

• Fontes Chaveadas (SMPS): Componente indispensável para o chaveamento de alta eficiência em fontes de alimentação.
• Conversores DC-DC e Inversores de Frequência: Atua de forma precisa no controle e conversão de energia em sistemas de alta tensão.
• Reatores Eletrônicos e Sistemas de Iluminação: Utilizado no acionamento e controle de lâmpadas de descarga e sistemas de iluminação industrial.
• Controle de Motores Elétricos: Perfeito para circuitos de controle de velocidade e acionamento de pequenos motores DC de alta tensão.
• Circuitos de Comutação Rápida: Ideal para automação e fontes industriais que necessitam de respostas rápidas com perdas mínimas.

Especificações Técnicas

• Modelo: IRFBE30 / SiHFBE30

• Tipo de Transistor: MOSFET de Potência (Canal N)

• Encapsulamento: TO-220AB (Through-Hole)

• Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 800V

• Corrente Contínua de Dreno (Id): 4.1A (em TC = 25 graus Celsius)

• Resistência em Condução (RDS on): 3.0 Ohms (com Vgs = 10V)

• Tensão de Gate a Fonte (Vgs): Mais ou menos 20V

• Dissipação de Potência Máxima (Pd): 125W

• Temperatura de Operação: -55 a +150 graus Celsius

• Fabricante Referência: International Rectifier / Vishay