O Transistor MOSFET de Potência IRFB5615 da International Rectifier (marca do grupo Infineon) é um componente semicondutor de alta eficiência baseado na avançada tecnologia HEXFET. Desenvolvido especificamente para aplicações que exigem comutação extremamente rápida e baixa resistência no estado de condução (Rds-on), este componente otimiza a eficiência energética e reduz as perdas por dissipação térmica no circuito.

Seu encapsulamento metálico padrão TO-220 de três pinos facilita a montagem do tipo Through Hole (PTH) e permite a fixação direta em dissipadores de calor. É a escolha ideal para projetistas e técnicos de manutenção que buscam robustez mecânica, alta capacidade de condução de corrente e confiabilidade sob condições severas de operação.

Aplicações Comuns

Este MOSFET de potência é amplamente procurado no mercado de reposição e desenvolvimento industrial para atuar em:

• Amplificadores de áudio de alta potência da Classe D (Digital).

• Fontes chaveadas (SMPS) de alta eficiência e conversores DC-DC.

• Sistemas de alimentação ininterrupta (No-Breaks / UPS).

• Drivers de controle para motores elétricos de corrente contínua e inversores.

• Circuitos de comutação de alta velocidade e gerenciamento de bateria.

• Fontes automotivas e módulos de som profissional.

Especificações Técnicas

• Marca: International Rectifier (IR / Infineon)

• Código do Componente: IRFB5615 (Código de lote impresso: P608P / 3GHJ)

• Tipo de Transistor: MOSFET de Potência Canal N

• Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

• Tipo de Encapsulamento: TO-220AB

• Número de Terminais: 3 Pinos

• Tipo de Montagem: Through Hole (PTH)

• Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vdss): 150V

• Corrente Contínua de Dreno (Id): Até 35A (a uma temperatura controlada de 25 graus)

• Baixa Resistência em Condução (Rds-on): Apenas 32 mOhms (típica)