O IRFB4127 é um MOSFET de potência de canal N da linha HEXFET®, projetado para oferecer uma resistência extremamente baixa por área de silício e um desempenho de chaveamento superior. Graças à sua robustez, este componente é amplamente utilizado em inversores de alta eficiência, fontes de alimentação chaveadas (SMPS) e sistemas de controle de motores.

Seu encapsulamento TO-220 garante facilidade de montagem e excelente dissipação térmica quando utilizado com um dissipador de calor adequado.

Especificações Técnicas:

• Modelo: IRFB4127 (ou IRFB4127PBF)

• Polaridade: Canal N

• Tensão Dreno-Fonte: 200V

• Corrente Contínua de Dreno: 76A (em 25°C)

• Resistência em Condução: Aproximadamente 18m

• Encapsulamento: TO-220AB

• Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET

Destaques:

• Baixa Carga de Gate Otimizado para circuitos de chaveamento de alta velocidade.

• Totalmente Livre de Chumbo: Atende aos padrões RoHS (PBF).

• Alta Capacidade de Corrente: Suporta cargas pesadas com mínima perda de energia.

• Versatilidade: Ideal para retificação síncrona, conversores DC-DC e amplificadores de áudio de alta potência.