Especificações:

Fabricante: International Rectifier (IR)
Modelo: IRF840N
Encapsulamento: TO-220
Tipo de transistor: MOSFET (Field-Effect Transistor de Óxido Metálico)
Polaridade: N-Channel (canal N)
Tensão de dreno para fonte (VDS): 500V
Tensão de gate para fonte (VGS): ±20V
Corrente contínua do dreno (ID): 8A
Corrente pulsada do dreno (IDp): 32A
Resistência de condução (RDS(on)): 0,85Ω
Potência dissipada (PD): 150W
Temperatura de operação: -55°C a 175°C
Número de pinos: 3

Pinagem:

Pino 1: Dreno (Drain)
Pino 2: Gate
Pino 3: Fonte (Source)

Características:

Baixa resistência de condução (RDS(on)), o que resulta em menor dissipação de energia e maior eficiência.
Alta tensão de bloqueio (VDS) de 500V, tornando-o adequado para aplicações que exigem operação em alta tensão.
Corrente de dreno contínua (ID) de 8A, permitindo a operação em circuitos de alta corrente.
Encapsulamento TO-220, que facilita a montagem e dissipação de calor do transistor.
Adequado para diversas aplicações, incluindo fontes de alimentação, controle de motores, comutação de cargas, entre outros.

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