O FQA9N90C é um MOSFET de potência em canal N de alta tensão, fabricado através da avançada tecnologia proprietária QFET da Fairchild (ON Semiconductor). Este componente foi projetado especialmente para minimizar a resistência no estado de condução (RDS(on)) e oferecer uma carga de gate extremamente baixa, proporcionando comutações muito mais rápidas e eficientes. Acomodado no robusto encapsulamento TO-3P (TO-247 adaptado para alta dissipação), ele conta com excelente capacidade de suportar surtos de corrente em modo de avalanche, sendo ideal para circuitos que operam sob condições severas de estresse elétrico.
Especificações Técnicas Principais
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Fabricante: Fairchild / ON Semiconductor (Original)
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Modelo / Part Number: FQA9N90C (Série QFET)
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Tipo de Semicondutor: MOSFET de Potência Canal N
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Tensão Máxima Dreno-Fonte (V DSS): 900 Volts
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Corrente Contínua de Dreno (I D): 9.0 Amperes (a 25 Graus Celsius) / 5.7 Amperes (a 100 Graus Celsius)
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Corrente de Dreno Pulsada Máxima (I DM): 36 Amperes
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Resistência Máxima em Condução (R DS(on)): 1.4 Ohms (sob VGS = 10V)
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Tipo de Encapsulamento: TO-3P / TO-247 (Três terminais com furo para fixação em dissipador)
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Característica de comutação rápida e baixo coeficiente de perdas dinâmicas
Aplicações Mais Comuns
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Fontes de alimentação chaveadas (SMPS) de alta tensão e topologias Flyback/Forward
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Conversores de energia DC para DC de alta eficiência e inversores industriais
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Circuitos de reatores eletrônicos para sistemas de iluminação de alta potência
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Fontes automotivas e sistemas de alimentação para equipamentos de telecomunicações
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Circuitos de chaveamento e relés eletrônicos de estado sólido em automação industrial
