O Transistor MOSFET APT12031JFLL é um componente de alta potência e altíssima eficiência, pertencente à renomada tecnologia Power MOS 7 (fabricado pela Microchip / Microsemi, anteriormente Advanced Power Technology - APT). Desenvolvido no robusto encapsulamento SOT-227 (ISOTOP) com fixação por parafusos, este FREDFET N-Channel foi projetado especificamente para reduzir drasticamente as perdas por condução e comutação em circuitos críticos que operam com elevadas tensões e correntes.
Graças à sua estrutura patenteada de "metal gate", ele oferece velocidades de comutação excepcionalmente rápidas, baixa capacitância de entrada (Ciss) e uma carga de gate (Qg) reduzida, tornando o componente muito mais fácil de ser acionado (drive) e garantindo uma excelente dissipação térmica em aplicações industriais severas. Além disso, conta com um diodo de corpo ultra-rápido (Fast Recovery Body Diode), perfeito para circuitos de inversão de polaridade e proteção.
Aplicações Mais Comuns:
-
Inversores de Frequência industriais e drivers de motores elétricos de alta potência.
-
Fontes Chaveadas (SMPS) de alta tensão e fontes de alimentação ininterruptas (Nobreaks / UPS).
-
Inversores de Energia Solar (Sistemas Fotovoltaicos) e conversores de energia eólica.
-
Máquinas de Solda Inversora e equipamentos de aquecimento por indução.
-
Fontes de Alta Tensão para equipamentos médicos (como Raios-X e Ressonância Magnética) e industriais.
-
Sistemas de Correção de Fator de Potência (PFC) ativos.
-
Conversores DC-DC automotivos e de distribuição de energia.
Especificações Técnicas Principais:
-
Modelo / Part Number: APT12031JFLL
-
Fabricante: Microchip Technology / Microsemi (APT)
-
Tecnologia: Power MOS 7 / FREDFET N-Channel (Canal N)
-
Encapsulamento: SOT-227 / SOT-227-4 (ISOTOP) - Montagem em chassis/dissipador por parafusos
-
Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)
-
Corrente Contínua de Dreno (Id): 30A (com base na temperatura de operação)
-
Resistência em Condução Máxima (Rds On): 330 mOhm (0.33 Ohms) a 15A / 10V
-
Dissipação Total de Potência (Pd): Até 690W (Tc = 25 graus Celsius)
-
Carga de Gate Típica (Qg): 365 nC a 10V
-
Temperatura de Operação: -55 a +150 graus Celsius
-
Características Adicionais: Diodo interno de recuperação rápida integrado, baixa capacitância Miller e excelente imunidade a transientes.
