Fabricante: Toshiba

Categoria de produto: MOSFETs

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: Through Hole

Caixa / Gabinete: TO-220-3

Polaridade do transistor: N-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2.5 Ohms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Pd - Dissipação de potência: 45 W

Modo de canal: Enhancement

Série: 2SK2717

Marca: Toshiba

Configuração: Single

Tempo de queda: 60 ns

Altura: 15.1 mm

Comprimento: 10.16 mm

Tipo de Produto: MOSFETs

Tempo de ascensão: 40 ns

Subcategoria: Transistors

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tempo de retardo de desligamento típico: 200 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 90 ns

Largura: 4.45 mm

Peso unitário: 2 g