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Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 29 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 74 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Marca: Vishay Semiconductors
Tempo de queda: 24 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 28 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 12 ns
Aliases de núm de peça: IRF9630PBF-BE3
Peso unitário: 2 g
