Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.Encapsulado no formato TO-220 universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo da embalagem do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.

Especificação:

Transistor IRF630 - MOSFET de Canal N TO-220 - Datasheet AK60SY20-110-R5
Modelo: IRF630
Encapsulamento: TO-220 3 Pinos
Tensão VDS Drain-source: 200V
Corrente de drenagem: 9A
Dissipação de potência total: 120W
Temperatura da junção: 175 Graus Celsius
Temperatura de Operação: -55 a +175 Graus Celsius
3 Terminais
Cor: Preto
Tamanho: 3mm Largura x 3mm Profundidade x 3mm Altura