O SGW30N60HS é um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) da linha "High Speed" da Infineon. Projetado para operar em altas frequências de chaveamento (acima de 30kHz), este componente oferece baixíssimas perdas de comutação e condução.

É a escolha ideal para o estágio de potência de equipamentos que exigem eficiência e resposta rápida, como fontes chaveadas modernas (SMPS) e inversores de solda. Sua construção robusta em encapsulamento TO-247 facilita a dissipação de calor.

Principais Características:

• Fabricante: Infineon Technologies

• Modelo: SGW30N60HS

• Tecnologia: Fast IGBT (Otimizado para alta frequência)

• Eficiência: Baixa tensão de saturação (Vce-sat) e baixo "tail current" no desligamento.

• Encapsulamento: TO-247 (Padrão industrial de potência).

• Proteção: Alta robustez contra curtos-circuitos momentâneos.

Especificações Técnicas:

• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 600V

• Corrente de Coletor Contínua (Ic): 30A (a 100°C)

• Corrente de Coletor Pulsada (Icm): 112A

• Tensão de Saturação (Vce-sat): Tipicamente 2.5V

• Dissipação de Potência Total: 250W

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

Aplicações Comuns:

• Inversores de Solda (MIG / TIG / MMA)

• Fontes Chaveadas de Alta Potência (SMPS)

• Inversores de Frequência para Motores

• Fontes Ininterruptas de Energia (UPS / Nobreaks)

• Aquecimento por indução

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