Transistor IGBT MG50Q1BS11 1200V 50A

Especificações Técnicas: - Tipo: Transistor IGBT - Modelo: MG50Q1BS11 - Tensão máxima: 1200V - Corrente máxima: 50A - Tipo de encapsulamento:  Módulo- Temperatura operacional: -40°C a +150°C - Dissipação de potência: 250 W

Recursos e Características: O Transistor IGBT MG50Q1BS11 é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez. Com uma tensão máxima de 1200V e corrente de 50A, ele é perfeito para circuitos de potência, inversores e controladores de motor. Seu design avançado proporciona uma baixa perda de energia, garantindo um desempenho superior em condições adversas.

Aplicações: Utilizado em sistemas de energia renovável, automação industrial e eletrônica de potência, este transistor é uma escolha confiável para engenheiros e desenvolvedores em busca de qualidade e eficiência.

MG50Q1BS11

Canal N Igbt (comutação de alta potência, aplicações de controle de motor)
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