O FGA60N65 é um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) de alto desempenho, que utiliza a tecnologia Field Stop. Este componente oferece um excelente equilíbrio entre velocidade de comutação e baixa tensão de saturação (Vce-sat), garantindo alta eficiência energética. É robusto e projetado para suportar aplicações de alta corrente, sendo amplamente utilizado no estágio de potência de inversores e conversores.
Principais Características:
-
Tecnologia: Field Stop IGBT (Maior eficiência)
-
Diodo Interno: Possui diodo de roda livre (fast recovery diode) integrado de alta performance.
-
Alta Tensão de Bloqueio: 650V (Superior aos modelos padrão de 600V, oferecendo maior margem de segurança).
-
Baixa Perda: Otimizado para reduzir perdas por condução e chaveamento.
-
Encapsulamento: TO-3P / TO-247 (Ideal para fixação em dissipadores grandes).
Especificações Técnicas:
-
Tensão Coletor-Emissor (Vces): 650V
-
Corrente de Coletor Contínua (Ic): 60A (a 100°C)
-
Corrente de Coletor Pulsada (Icm): 180A
-
Tensão de Saturação (Vce-sat): Tipicamente 1.9V
-
Dissipação de Potência (Pd): Aprox. 300W (com dissipação adequada)
Aplicações Comuns: Essencial para manutenção e fabricação de:
-
Máquinas de Solda Inversora (MIG/MAG/TIG/MMA)
-
Inversores Solares (Fotovoltaicos)
-
Fontes Ininterruptas (UPS / Nobreaks de grande porte)
-
Correção de Fator de Potência (PFC)
-
Conversores de Frequência
IGBT, FGA60N65, 60N65, 60A 650V, Transistor de Potência, Inversora de Solda, Manutenção Eletrônica, FGA60N65SMD, Componentes Eletrônicos, TO-3P, Solda Inverter, Fonte Industrial
