Fabricante: Central Semiconductor
Categoria do Produto: Transistores Bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de Montagem: Through Hole
Invólucro / Caixa: TO-39
Polaridade do Transistor: NPN
Configuração: Único
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: 60 V
Tensão Coletor-Base VCBO: 100 V
Tensão Emissor-Base VEBO: 7 V
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1 V
Corrente Contínua Máxima do Coletor: 1 A
Pd - Dissipação de Potência: 800 mW
Produto Ganho de Banda ft: 50 MHz
Temperatura Mínima de Operação: -65°C
Temperatura Máxima de Operação: +200°C
Embalagem: A Granel
Marca: Central Semiconductor
Corrente Contínua do Coletor: 1 A
Ganho DC Coletor/Base hfe Mín.: 100
Ganho DC de Corrente hFE Máx.: 250
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Peso Unitário: 1.611 g