Tipo: IGBT de canal N com diodo antiparalelo
Tensão máxima coletor-emissor 650 V
Corrente contínua de coletor : 60 A @ 100°C
Corrente de pulso de coletor (I_Cpuls): 180 A
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,85 V  60 A, V = 15 V, T = 25°C
Tensão máxima gate-emissor: ±20 V
Temperatura máxima de junção: 175°C
Encapsulamento: TO-247

O Transistor IGBT MBQ60T65PES (60T65PES) da MagnaChip é um componente eletrônico de potência projetado para aplicações que exigem comutação eficiente de alta tensão e corrente. Combinando as características de transistores bipolares de junção (BJT) e MOSFETs, o IGBT oferece baixa queda de tensão e alta velocidade de comutação, garantindo operação estável e eficiente em fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC e sistemas industriais. Seu encapsulamento robusto proporciona boa dissipação térmica e facilidade de montagem em placas de circuito impresso ou módulos de potência.

Aplicações Comuns:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
Sistemas de correção de fator de potência (PFC)
Equipamentos de soldagem
Aquecedores por indução