Transistor 2SA673A
Tipo de dispositivo: Transistor PNP de baixa potência
Aplicações típicas: Amplificação de sinais de baixa potência
Tensão coletor-emissor máxima (Vce): -50V
Corrente coletor máxima contínua (Ic): -100mA
Potência máxima dissipada (Pd): 200mW
Ganho de corrente (hFE): Geralmente na faixa de 100 a 300
Encapsulamento: Geralmente TO-92
Temperatura de operação: -55°C a 150°C
