Módulo IGBT SKM75GB126D da renomada linha SEMITRANS M da Semikron é um dispositivo semicondutor de potência de altíssima confiabilidade e robustez. Configurado em topologia Half-Bridge (Meia Ponte), ele integra dois transistores IGBT de alta velocidade com diodos de condução reversa rápida (Cal Diode) em um único encapsulamento industrial isolado.
Fabricado sob os mais rígidos padrões internacionais de qualidade, este bloco IGBT oferece baixa tensão de saturação coletor-emissor, excelente gerenciamento térmico graças à sua base de cobre isolada e alta suportabilidade a curtos-circuitos. É a escolha definitiva para sistemas de potência pesada que exigem comutação eficiente, perdas reduzidas de energia e longa vida útil operacional.
Aplicações Comuns
Este módulo de alta potência é amplamente buscado por indústrias, engenheiros e técnicos de manutenção para aplicação em:
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Inversores de frequência industriais e conversores de torque.
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Drivers de controle para motores elétricos trifásicos AC.
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Fontes de alimentação ininterruptas de grande porte (No-Breaks / UPS industriais).
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Equipamentos de soldagem eletrônica de alta potência (Inversoras de Solda).
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Conversores de energia solar fotovoltaica e sistemas de energia eólica.
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Aquecimento por indução industrial e sistemas de tração elétrica.
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Choppers e sistemas de frenagem dinâmica de motores.
Especificações Técnicas
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Marca: Semikron
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Linha: SEMITRANS 2 (SEMITRANS M)
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Código do Componente: SKM75GB126D
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Configuração Interna: Meia Ponte (Half-Bridge)
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Corrente Nominal de Coletor (Ic): 75A (a uma temperatura de operação controlada)
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Tensão Máxima Coletor-Emissor (Vces): 1200V (1.2kV)
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Tecnologia do Transistor: IGBT com diodo de comutação rápida integrado
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Tipo de Conexão: Terminais principais por parafusos robustos e pinos de controle rápidos (Faston)
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Encapsulamento: Módulo isolado com base metálica para fixação em dissipador de calor
