O MOSFET de Potência IRFBG30PBF da renomada marca Vishay é um semicondutor de altíssima performance, projetado especialmente para aplicações que exigem suportar níveis elevados de tensão com máxima eficiência de comutação. Operando com uma impressionante tensão de ruptura de 1000V (1KV) no dreno-fonte e corrente contínua de até 3.1A, este transistor de Canal N destaca-se pelo seu encapsulamento robusto TO-220, que garante excelente dissipação térmica sob condições severas de trabalho.
Graças à sua baixa resistência no estado de condução e carga de gate otimizada, ele reduz drasticamente as perdas por aquecimento, oferecendo estabilidade, segurança e longa vida útil aos circuitos elétricos industriais e de consumo. Ideal para reposição de peças originais de fábrica ou novos desenvolvimentos de hardware robusto.
Fontes Chaveadas de Alta Tensão (SMPS): Componente chave no chaveamento primário de fontes de alimentação industriais conectadas a redes elétricas trifásicas ou flutuantes.
Reatores Eletrônicos de Iluminação: Utilizado em circuitos de ignição de lâmpadas de descarga de alta intensidade e reatores industriais antigos ou especiais.
Conversores DC-DC de Alta Tensão: Ideal para sistemas de transmissão de energia, equipamentos médicos e instrumentação laboratorial.
Inversores de Frequência e Soft-Starters: Atua nos estágios de potência e circuitos auxiliares de controle de motores elétricos.
Circuitos de Proteção contra Transientes e Clamping: Absorção e controle de picos de tensão em sistemas elétricos críticos.
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência (Metal-Oxide Semiconductor)
Polaridade do Canal: Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 1000V (1 KV)
Corrente Contínua de Dreno (Id): 3.1A (a 25°C)
Resistência Máxima em Condução (Rds On): 5.0 Ohms
Tensão Máxima de Gate-Fonte (Vgs): ±30V
Dissipação de Potência Máxima (Pd): 125W
Encapsulamento: TO-220AB (Through-Hole)
Livre de Chumbo / Diretiva RoHS: Sim (PBF)
Fabricante: Vishay Intertechnology
