Transistor N-Channel MOSFET TrenchMOS™ BUK95 - NXP USA Inc.

Descrição do Produto: O transistor N-Channel MOSFET TrenchMOS™ BUK95 da NXP USA Inc. é um dispositivo confiável e de alta performance, ideal para aplicações que demandam eficiência energética e robustez. Com um design otimizado, este MOSFET apresenta uma tensão de drenagem para fonte (Vdss) de 100 V e uma corrente contínua de drenagem (Id) de até 49A a 25°C.

Especificações Técnicas:

- Tipo de FET: N-Channel

- Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)

- Rds On (Max): 27mOhm @ 25A, 10V

- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C

- Potência Máxima de Dissipação: 166W

Características:

- Montagem através de furo (Through Hole) no encapsulamento TO-220AB.

- Ideal para aplicações que exigem alta eficiência e baixa resistência.

Aplicações: Perfeito para uso em fontes de alimentação, controle de motores e circuitos de potência.

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