O módulo IGBT 7MBR100VX120-50 é um dispositivo semicondutor de potência projetado para operar como um interruptor eletrônico, com aplicações em inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação e outras aplicações de alta potência. Ele combina a tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com a tecnologia de diodo de recuperação rápida para oferecer alto desempenho, eficiência e confiabilidade.
Características Principais:
Modelo: 7MBR100VX120-50
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Corrente máxima de coletor contínuo (IC): 100A
Tensão máxima de coletor-emissor (VCE): 1200V
Tensão máxima de circuito aberto do diodo (VFM): 2,5V
Frequência de operação: 50Hz
Tecnologia de diodo de recuperação rápida incorporada
Baixa perda de condução e alta eficiência
Baixa geração de calor
Proteção contra sobrecorrente e sobretensão
Caixa compacta e resistente para facilitar a instalação
Aplicações:
O módulo IGBT 7MBR100VX120-50 é amplamente utilizado em diversas aplicações de alta potência, incluindo, mas não se limitando a:
Inversores de frequência
Conversores de frequência
Fontes de alimentação
Sistemas de controle de motor
Sistemas de energia renovável
Sistemas de tração elétrica
Aplicação:
Recomenda-se utilizar o módulo IGBT 7MBR100VX120-50 dentro de suas especificações elétricas e térmicas para garantir o desempenho adequado e a vida útil prolongada.
Deve-se seguir as orientações do fabricante para montagem e instalação adequadas do módulo.
Recomenda-se o uso de dissipadores de calor adequados para evitar o superaquecimento durante a operação.
A proteção contra sobrecorrente e sobretensão pode ser alcançada por meio de circuitos externos, dispositivos de proteção ou controladores apropriados.
