O SEMIX302GB12E4S é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta performance da linha SEMiX da Semikron. Este módulo é configurado em meia-ponte (half-bridge) e utiliza a tecnologia Trenchgate IGBT4, que oferece perdas de comutação reduzidas e uma excelente estabilidade térmica para aplicações industriais exigentes.

Características Técnicas:

• Modelo: SEMiX302GB12E4S.

• Fabricante: Semikron.

• Tensão Máxima Coletor-Emissor: 1200V.

• Corrente de Coletor: 300A (nominal).

• Configuração: Dual IGBT (Half-Bridge).

• Tecnologia: Trenchgate IGBT4 com diodo CAL4 de recuperação suave.

• Conexão: Terminais de mola (Spring contact) para sinais de controle e terminais de parafuso para potência.

Aplicações:

• Inversores de frequência para controle de motores AC.

• Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de grande porte.

• Conversores de energia renovável (eólica e solar).

• Máquinas de solda industriais de alta potência.