Modelo: PHMB50E6CL
Fabricante: Nihon
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão máxima suportada: 600V
Corrente máxima suportada: 50A
Configuração do circuito: Half Bridge
Encapsulamento: Module
Características Elétricas:

Tensão de coletor-emissor (VCE): 600V
Corrente contínua máxima de coletor (IC): 50A
Tensão máxima de gate-emissor (VGE): +/-20V
Potência máxima dissipada (PD): 300W
Temperatura de operação (Tj): -40 a 150°C
Características do Circuitos de Proteção:

Máxima tensão de offset de gate-emissor (VGE(th)): 5V
Corrente de fuga de gate-emissor (IGES): 10uA
Resistência térmica junção-ambiente (RthJA): 62°C/W
Proteção contra sobrecorrente (OCP)
Proteção contra sobretensão (OVP)
Proteção contra temperatura excessiva (TSD)