Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Dupla
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: 1,2 kV
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 3,2 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 370 A
Corrente de Fuga do Gate-Emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 1,95 kW
Invólucro/Formato: 62 mm
Temperatura Mínima de Operação: -40 °C
Temperatura Máxima de Operação: +125 °C
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30,9 mm
Comprimento: 106,4 mm
Tensão Máxima Gate-Emissor: 20 V
Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Série: IGBT2 Fast
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si (Silício)
Largura: 61,4 mm
Nº de Peça Alternativo: SP000100774 FF300R12KS4HOSA1
Peso Unitário: 340 g
