Nome do Produto: Módulo IGBT
Modelo: DP15F1200TO101910
Fabricante:DANFOSS 
Categoria: Eletrônica de Potência
Tensão de Coletor-Emissor (V_CE): 1200 V
Corrente de Coletor (I_C): 15 A
Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
Tensão de Gate-Emissor (V_GE): ±20 V
Tensão de Saturação de Coletor-Emissor (V_CE(sat)): 2.1 V (típico)
Corrente de Fuga de Coletor (I_CE): 10 µA (típico) a 1200 V
Capacitância de Entrada (C_ies): 1100 pF
Capacitância de Saída (C_oess): 100 pF
Capacitância de Transferência (C_res): 60 pF
Resistência Térmica (Junction-to-Case) (R_θJC): 0.4 °C/W
Dimensões(CxLxH): 70x29x21mm
Peso: 

Aplicações Típicas:

Inversores de Frequência
Fontes de Alimentação Ininterrupta (UPS)
Conversores DC-DC
Controles de Motores