Características Principais:

Tensão de operação: 1200V
Corrente máxima de coletor contínua: 400A
Corrente máxima de pico: 800A
Tecnologia IGBT: Nível de alta velocidade (High-Speed)
Diode Forward Voltage: 1.6V (típico)
Temperatura de operação: -40°C a 150°C
Configuração de pinos: Módulo com pinagem de tipo "Dual In-line Package" (DIP)

Especificações Elétricas:

Tensão de isolamento (Vge to Vce): 2500Vrms (mínimo)
Tensão de saturação (Vce(sat)): 2.5V (máximo) @ Ic = 400A
Resistência do IGBT (Rce(on)): 1.0mΩ (máximo) @ Ic = 400A
Capacitância de entrada (Cies): 24nF (típico) @ Vce = 25V, Vge = 0V, f = 1MHz
Capacitância de saída (Coes): 6.5nF (típico) @ Vce = 25V, Vge = 0V, f = 1MHz

Aplicações:

Inversores de frequência
Fontes de alimentação
Acionamentos de motores
Controle de potência industrial