Fabricante: Mitsubishi Electric
Categoria do Produto: Módulos IGBT
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RoHS: Detalhes
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Duplo
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máxima: 1,2 kV
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1,8 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 300 A
Corrente de Fuga do Gate-Emissor: 500 nA
Pd - Dissipação de Potência: 1,13 kW
Temperatura Mínima de Operação: -40 °C
Temperatura Máxima de Operação: +150 °C
Marca: Mitsubishi Electric
Tensão Máxima Gate-Emissor: 20 V
Estilo de Montagem: Montagem por Parafuso
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si (Silício)