Fabricante: MITSUBISHI Electric Corporation
Modelo: CM200DY24H
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão máxima de bloqueio (VCEO): 1200V
Corrente contínua máxima (IC): 200A
Tensão de saturação máxima (VCEsat): 2.2V (a 200A)
Configuração: Meia ponte
Encapsulamento: Módulo de embalagem com terminais
Características adicionais:
Baixa perda de comutação
Alta velocidade de comutação
Proteção contra sobrecorrente e temperatura
Isolação elétrica entre o driver e o dispositivo de potência
Diagnóstico de falhas
Aplicações típicas:
Inversores de potência
Conversores de frequência
Fontes de alimentação de alta potência
Sistemas de controle de motor
Equipamentos industriais
