Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Hex
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 600 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 2,45 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 226A
Corrente de fuga do emissor-portão: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 700 W
Pacote / Estojo: EconoPACK 3A
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Altura: 17 milímetros
Comprimento: 122 milímetros
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Estilo de montagem: Montagem do chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 62 milímetros
