O BSM200GB120DLC é um Módulo de Potência IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) na configuração Half-Bridge (Meia Ponte), fabricado pela Infineon (antiga Eupec).

Reconhecido pela sua extrema robustez, este módulo utiliza a tecnologia de chip de baixa perda (Low Loss IGBT) combinada com diodos de roda livre rápidos e suaves (CAL diode). Com capacidade nominal de 200 Amperes e tensão de 1200 Volts, é a peça de reposição padrão para uma vasta gama de inversores de frequência, soft-starters e fontes de alimentação ininterruptas (UPS) fabricados na década de 2000 e 2010.

Seu encapsulamento padrão de 62mm (comprimento da base) oferece baixa indutância e excelente isolamento térmico, sendo 100% compatível mecanicamente com módulos modernos da série FF200R12.

Principais Características:

• Baixas Perdas: Tecnologia de chip otimizada para comutação eficiente.

• Alta Robustez: Resistente a curtos-circuitos (Short circuit ruggedness).

• Configuração: Half-Bridge (2 IGBTs + 2 Diodos internos).

• Base Isolada: Placa de base de cobre para transferência térmica eficiente (2.5kV isolação).

• Padrão Industrial: Encapsulamento de 62mm (compatível com Semikron SKM200).

Especificações Técnicas:

• Fabricante: Infineon / Eupec

• Part Number: BSM200GB120DLC

• Corrente de Coletor (Ic): 200A (a 80°C) / 275A (a 25°C)

• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200V

   

   

• Tensão de Saturação (VceSat): ~2.1V (típico)

• Encapsulamento: Módulo 62mm (34mm altura)

• Terminais: Parafusos M5 (Potência) e Fast-on ou Solda (Controle)

Aplicações Recomendadas:

• Manutenção de Inversores de Frequência (Siemens, ABB, Weg antigos).

• Fontes de Alimentação Industriais.

• Máquinas de Solda.

• Controle de Servo Motores.

• Sistemas UPS de grande porte.