Modelo: 2MBI300UE-120-50
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Tensão de coletor-emissor (Vce): 1200V
Corrente de coletor contínua (Ic): 300A
Corrente de coletor de pico (Icp): 600A
Tensão de gate-emissor (Vge): ±20V
Tensão de isolamento (Viso): 2500V
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Tempo de subida do gate (tgr): 120 ns
Tempo de queda do gate (tgd): 150 ns
Tempo de armazenamento (ts): 400 ns
Tipo de montagem: Módulo
Configuração do transistor: N-Channel (Canal N)
Especificações Elétricas:
Tensão de bloqueio direta (Vf): 2,7V
Corrente direta máxima (If): 300A
Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): 2,5V
Tensão de limiar do gate (Vth): 6V
Capacitância de entrada (Cies): 15 nF
Capacitância de saída (Coes): 2,8 uF
Capacitância de transferência (Cres): 0,8 uF
Resistência térmica do case ao dissipador (RthJC): 0,1 °C/W
Características Mecânicas:
Configuração do encapsulamento: Módulo
Tipo de encapsulamento: Pacote F
Peso: Aproximadamente 400 g
Recursos Adicionais:
Proteção contra curto-circuito
Proteção contra sobretensão
Proteção contra sobrecorrente
Alta velocidade de comutação
Baixa perda de comutação
Baixa perda de condução
Baixa dissipação de calor
