Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 2 V
Corrente de fuga do emissor-portão: 100 nA
Pd - Dissipação de Potência: 555 W
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 150ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Series: Vala/Parada de Campo IGBT4 - T4
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Parte # Aliases: SP000624754 FF100R12RT4HOSA1
Unidade de peso: 160g
| 1 x de R$989,99 sem juros | Total R$989,99 | |
| 2 x de R$542,71 | Total R$1.085,43 | |
| 3 x de R$367,05 | Total R$1.101,17 | |
| 4 x de R$275,61 | Total R$1.102,45 | |
| 5 x de R$226,33 | Total R$1.131,66 | |
| 6 x de R$188,62 | Total R$1.131,76 | |
| 7 x de R$165,07 | Total R$1.155,52 | |
| 8 x de R$144,45 | Total R$1.155,62 | |
| 9 x de R$131,65 | Total R$1.184,92 | |
| 10 x de R$119,44 | Total R$1.194,42 | |
| 11 x de R$108,59 | Total R$1.194,52 | |
| 12 x de R$100,74 | Total R$1.208,88 |
