O IGBT FGH60N60SMD da onsemi é um dos transistores mais confiáveis para o mercado de eletrônica de potência. Graças à sua inovadora tecnologia Field Stop Trench, este componente oferece o equilíbrio ideal entre baixas perdas de condução e alta velocidade de comutação. Ele é projetado para suportar condições severas, suportando uma temperatura de junção de até 175 graus Celsius.

Na FORNELL, entendemos que a precisão técnica é fundamental. Este IGBT já inclui um diodo de recuperação rápida (anti-paralelo), o que o torna uma solução completa para pontes inversoras e circuitos de correção de fator de potência (PFC). Se você busca durabilidade para máquinas de solda ou sistemas de energia solar, o FGH60N60SMD é a escolha técnica superior.

Ideias de Aplicação:

• Máquinas de solda inversoras (Reposição principal).

• Inversores de energia solar e eólica.

• Sistemas de UPS (No-breaks) profissionais.

• Fontes chaveadas de alta potência (PFC).

• Aquecimento por indução industrial.

Dados Técnicos:

• Tensão Coletor-Emissor: 600V.

• Corrente de Coletor: 60A (a 100 graus) / 120A (a 25 graus).

• Corrente Pulsada: 180A.

• Tensão de Saturação: 1.9V (Típico).

• Temperatura Máxima de Junção: 175 graus Celsius.

• Encapsulamento: TO-247 (3 pinos).

• Recurso Especial: Diodo de recuperação rápida integrado.