Designador de tipo: OSG65R038HZF

   Código de marcação: OSG65R038HZ

   Tipo de transistor: MOSFET

   Tipo de controle Canal: N - Canal

   Pd ⓘ - Dissipação de potência máxima: 500 W

   |Vds|ⓘ - Tensão dreno-fonte máxima: 650 V

   |Vgs|ⓘ - Tensão gate-source máxima: 30 V

   |Vgs(th)| ⓘ - Tensão gate-threshold máxima: 4,5 V

   |Id| ⓘ - Corrente de dreno máxima: 80 A

   Tj ⓘ - Temperatura máxima da junção: 150 °C

   Qg ⓘ - Carga total da porta: 175 nC

   tr ⓘ - Tempo de subida: 121,2 nS

   Cossⓘ - Capacitância de saída: 486 pF

   Rds ⓘ - Resistência máxima do estado ligado da fonte de dreno: 0,038 Ohm

   Pacote: TO247