Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 65 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 24 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 330 W
Modo de canal: Enhancement
Marca: Infineon / IR
Configuração: Single
Tempo de queda: 31 ns
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 33 ns
Largura: 4.4 mm
Peso unitário: 2 g
