Especificações:

Fabricante: Infineon

Categoria de produto: MOSFET

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: Através do ORIFÍCIO

Caixa / Gabinete: TO-220-3

Polaridade do transistor: N-Canal

Número de canais: 1 CANAL

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 9.7 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 200 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Tensão de limite porta e fonte: 2 V

Qg - Carga na porta: 16.7 nC

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 175 C

Pd - Dissipação de potência: 48 W

Modo de canal: Realce

Configuração: Único

Altura: 15.65 mm

Comprimento: 10 mm

Tipo de transistor: 1 CANAL

Largura: 4.4 mm

Marca: Infineon Technologies

Tipo de Produto: MOSFET