Transistor MJE13009 = J13009
Transistor Bipolar de Junção

Especificações:
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 400 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 700 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 9 V
Corrente do coletor DC máxima: 12 A
Pd - Dissipação de potência: 110000 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 4 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tecnologia: Si
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 8 a 5 A, 5 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores