Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
REACH - SVHC:
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.9 V
Tensão do emissor do gate máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 120 A
Pd - Dissipação de potência: 600 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: FGA60N65SMD
Embalagem: Tube
Marca: onsemi / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Subcategoria: IGBTs
Peso unitário: 6.401 g
