Transistor Bipolar de Junção

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Através de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: NPN
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 140 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Pd - Dissipação de potência: 100 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 20 MHz
Série: 2SD1047
Embalagem: Vareta
Tecnologia: Si
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 12 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 50
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistor